收藏本站
ZVN0124A
TYPICAL CHARACTERISTICS
2.0
1.0
V GS= 10V
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS= 10V
8V
6V
5V
80 μ s pulse
0.8
0.6
7V
5V
4V
1.0
0.8
4V
0.4
3V
0.6
0.4
3V
0.2
0.2
0
2V
0
2V
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
20
18
16
V DS- Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
2.0
1.8
1.6
V DS- Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
14
1.4
V DS= 25V
12
I D=
1.2
10
8
6
4
2
1A
500mA
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V DS= 10V
0
0
2
4
6
8
10
100mA
0
0
2
4
6
8
10
100
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Voltage Saturation Characteristics
2.4
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
on
an
sis
Re
ur
So
n-
Dr
Gate Threshold
10
1
I D=
1A
500mA
I00mA
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
ai
ce I D= 0.25A
)
S(
R D
ce
t
V GS= 10V
V GS= V DS
I D= 1mA
Voltage V GS( th)
1
10
20
0
-60 -40 -20
0 20 40 60 80 100 120 140 160
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
On-resistance vs gate-source voltage
Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th) V Temperature
3-351
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZVN0540ASTZ MOSFET N-CHAN 400V TO92-3
ZVN0545ASTOB MOSFET N-CHAN 450V TO92-3
ZVN0545GTC MOSFET N-CHAN 450V SOT223
ZVN2106ASTOB MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
ZVN2106GTC MOSFET N-CHAN 60V SOT223
ZVN2110ASTOB MOSFET N-CHAN 100V TO92-3
ZVN2110GTC MOSFET N-CHAN 100V SOT223
ZVN2120GTC MOSFET N-CHAN 200V SOT223
相关代理商/技术参数
ZVN0124B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 420MA I(D) | TO-39
ZVN0124D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | CHIP
ZVN0124L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-220
ZVN0124Z 功能描述:MOSFET VMOS N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN0124ZSTOA 功能描述:MOSFET VMOS N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN0124ZSTOB 功能描述:MOSFET VMOS N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN0124ZSTZ 功能描述:MOSFET VMOS N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN0535A 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube